晶湛半导体

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质量体系

GaN-on-Sapphire for RF

尺寸2"/4"/6"

 

主要结构(HEMT结构):

高击穿电压(>2000V)和极低的缓冲区泄漏电流(~nA/mm)

良好的均匀性和再现性

高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻