晶湛半导体

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GaN-on-Sapphire
GaN-on-Sapphire(2"/3"/100mm/150mm)

主要特点:
  
高击穿电压(>2000V)和极低的缓冲区泄漏电流(~nA/mm)
良好的均匀性和再现性
高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻