晶湛半导体

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质量体系

GaN-on-Si for Power

尺寸:4"/ 6"/8"

 

主要特点:

高击穿电压(垂直击穿电压>600V)和极低的缓冲区漏电流

良好的均匀性和重复性

高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻