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GaN-on-Si for Power
GaN-on-Si (2"/ 3"/100mm/150mm/200mm)

主要特点:

高击穿电压(垂直击穿电压>600V)和极低的缓冲区漏电流
良好的均匀性和重复性
高电子浓度、高电子迁移率和低方块电阻