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晶湛半导体成为SEMI中国功率及化合物半导体委员会成员
  SEMI中国宣布成立SEMI中国功率及化合物半导体委员会,并于2015年7月28日在上海举行了启动会议。

  
  SEMI全球副总裁、中国总裁陆郝安博士为会议致欢迎词并介绍了SEMI中国围绕促进产业发展所构建的产业合作交流平台。本次会议通过了“SEMI中国功率与化合物半导体委员会章程”,并推选苏州能讯高能半导体有限公司总裁张乃千博士为联合主席。

  
  该委员会由来自全球功率及化合物半导体企业包括英飞凌、恩智浦、三安光电、中科院、能讯高能半导体、PlayNitride、晶湛半导体、矽力杰、南车电气、银茂微电子、华虹宏力、Tower Jazz、北车永电等企业组成,其中既有全球功率半导体巨头,亦有从事第二代半导体(如GaAs)、第三代宽禁带半导体(如GaN、SiC)电力电子器件开发及制造的新兴企业。
  
  张乃千博士分享了GaN射频器件与电力电子器件特点与优势,作为重要的核“芯”器件,GaN电力电子器件未来在计算机、移动通讯、物联网、汽车电子、电力输送、现代交通等行业将发挥越来越重要的作用,发展潜力巨大。南京银茂微电子制造有限公司总经理庄伟东博士做了”中国IGBT的技术与市场的发展“主题报告,分享了IGBT行业的最新进展和对未来市场预测。 

  
  会上,委员们就SEMI中国功率及化合物半导体委员会未来工作方向、如何共同搭建产业的Community各抒己见,展开了热烈讨论。经过讨论,委员们认为制定产业标准、开展专题性的技术与市场会议、产业政策倡导、搭建国内外企业的沟通桥梁是未来需要重点努力的方向。