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2022-03

氮化镓外延领军企业晶湛半导体完成数亿元战略融资 (2022年3月1日，苏州)近日，苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）宣布完成B+轮数亿元战略融资。本轮融资由歌尔微电子（歌尔股份002241.SZ控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办，坐
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2021-12

晶湛半导体总部大楼正式奠基 2021年12月2日上午，晶湛半导体总部大楼建设项目奠基仪式在苏州工业园区纳米城正式举行
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2021-09

晶湛半导体成功突破12英寸硅基氮化镓HEMT外延技术 2021年9月23日，由芜湖市人民政府和SEMI中国共同主办的“化合物半导体制造技术论坛”在安徽省芜湖市成功举办
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2021-06

10000V！氮化镓功率器件击穿电压新纪录美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）和苏州晶湛半导体团队合作攻关，通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片，以及运用pGaN降低表面场技术（p-GaNreducedsurfacefield(RESURF)制备的肖特基势垒二极管(SBD)，成功实现了超过10kV的超高击穿电压。
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