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2014-07

苏州晶湛半导体有限公司成功在200毫米硅基上生产出高压氮化镓HEMT结构材料中国半导体专家苏州晶湛半导体有限公司通过利用AIXTRON爱思强反应器，成功在200毫米的硅基（硅基氮化镓）上生产高压氮化镓HEMT（高电子迁移率晶体管）结构材料...
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