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16

2026-06

Micro LED光通信技术新突破晶湛半导体实现1.6 GHz高速低功耗Micro LED光互连产品
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21

2025-10

东微半导体与晶湛半导体携手突破12英寸氮化镓技术，共同推进氮化镓功率器件发展苏州东微半导体股份有限公司与苏州晶湛半导体有限公司联合宣布，双方已达成战略合作，共同推进12英寸氮化镓技术与产品的研发与应用。
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03

2025-09

晶湛半导体大尺寸N面GaN材料生长突破晶湛半导体通过“衬底偏角设计”与“杂质抑制工艺”双重结合，首次报道了6寸N面GaN材料生长结果，成功实现N面GaN材料表面粗糙度低至2nm的行业最优水平。
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28

2025-08

晶湛半导体程凯博士出席IPF2025 解码产业新生态 “第三届功率器件制造测试与应用大会（IPF 2025）”在江苏无锡隆重开幕。晶湛半导体总裁程凯博士应邀出席圆桌论坛并在功率半导体先进材料与晶圆“智”造论坛上做了精彩的演讲报告。
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