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我们以开放和协作的方式与世界各地的优秀大学、研究中心和工业合作伙伴合作。到目前为止，我们已经开发了各种定制的 GaN 外延结构，以满足我们客户和合作伙伴的特定设计。可以在此处列出的出版物中找到更多详细信息。想与我们讨论您的想法吗？联系邮箱：info@enkris.com。

Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement BinDong,JieLin,NingWang,Ling-liJiang,Zong-daiLiu,XiaoyanHu,KaiCheng,andHong-yuYu AIP Advances 6, 095021 (2016)
Characterization of trap behaviors in AlGaN/GaN MIS-HEMT via transient capacitance measurement BinDong,JieLin,NingWang,Ling-liJiang,Zong-daiLiu,KaiCheng,Hong-yuYu 2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT)